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29 September 2017: One event
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29/09/2017 - Selsabil SEJIL
En savoir plus : 29/09/2017 - Selsabil SEJILFriday 29 September 2017 from 14:00 to 15:30 - Thèse Selsabil Sejil Résumé :
Optimisation de l’épitaxie VLS du semi conducteur 4H-SiC. Réalisation de dopages localisés dans 4H-SiC par épitaxie VLS et application aux composants de puissance SiC
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Lieu : Amphithéâtre Claude Chappe du Bâtiment «Télécoms - Claude Chappe » , INSA de Lyon, campus de la DOUA.