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Publié le 06/05/2020 - CDD de 18 mois, post-doctorant ou ingénieur :
Caractérisation du vieillissement des MOSFET SiC de puissance : conduction de la diode interne et commutation forcée / Characterization of the aging of power SiC MOSFETs : conduction of the internal diode and forced switching
Collaboration entre le Laboratoire Ampère et l’IRT St-Exupéry.
Fiche de poste / Job description - Contact au laboratoire Ampère : Dr. Hervé Morel