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Youness HAMIEH - 11/05/2011 - INSA

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Youness HAMIEH soutient sa thèse le 11 mai 2011 à 10h00 - amphi Emilie du Châtelet (Médiathèque) - INSA de Lyon

Titre :

Caractérisation et modélisation du transistor JFET en carbure de silicium à haute température

Jury :

  • Directeurs de thèse : Hervé MOREL ; Dominique BERGOGNE
  • Rapporteurs : Frédéric MORANCHO ; Stéphane RAEL
  • Examinateurs : Stéphane LEFEBVRE ; Farid MEIBODY TABAR ; Olivier BERRY

Résumé :

Dans le domaine de l’électronique de puissance, les dispositifs en carbure de silicium (SiC) sont bien adaptés pour fonctionner dans des environnements à haute température, haute puissance, haute tension et haute radiation. Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande d’énergie interdite. Ce matériau possède des caractéristiques en température et une tenue aux champs électriques bien supérieures à celles du silicium. Ces caractéristiques permettent des améliorations significatives dans une grande variété d’applications et de systèmes. Parmi les interrupteurs existants, le JFET en SiC est l’interrupteur le plus avancé dans son développement technologique, et il est au stade de la pré-commercialisation. Le travail réalisé au cours de cette thèse consiste à caractériser électriquement des JFET en SiC de SiCED en fonction de la température (25 °C-300 °C). Des mesures ont été réalisé en statique (courant-tension), en dynamique (capacité-tension) et en commutation sur charge R-L (résistance-inductance) et dans un bras d’onduleur. Un modèle multi-physique du transistor JFET de SiCED à un canal latéral a été présenté. Le modèle a été développé en langage MAST et validé aussi bien en mode de fonctionnement statique que dynamique en utilisant le simulateur SABER. Ce modèle inclut une représentation asymétrique du canal latéral et les capacités de jonction de la structure. La validation du modèle montre une bonne concordance entre les mesures et la simulation.

View online : Texte complet de la thèse