Adrien LAMBERT defended his PhD on Feb. 11th, 2025.
Place : amphitheatre AE2 in the Gustave Ferrié building of l’INSA Lyon in Villeurbanne.
Analysis of Robustness of 650 V GaN HEMT under Repetitive Short-Circuits
Jury :
Rapporteurs :
M. KAMINSKI Nando, Professeur des Universités
M. LEFEBVRE Stéphane, Professeur des Universités
Examinateurs :
Mme MALBERT Nathalie, Professeur des Universités
M. MOREL Hervé, Directeur de Recherche
Encadrement :
M. PLANSON Dominique, Professeur des Universités, Directeur de thèse
M. PHỤNG Luong Việt, Maître de Conférences
Keywords:
HEMT GaN, power semiconductors, repetitive short-circuit, robustness