Damien RISALETTO soutiendra sa thèse
le 14 Mai 2007, 10h30
Amphithéâtre AE1, département Génie Electrique, INSA de Lyon
Titre de la Thèse : Caractérisation électrique en commutation de diodes haute tension en carbure de silicium.
Spécialité : Electronique
Résumé :
Dans le cadre du GdR « Intégration des Systèmes de Puissance à 3 Dimensions », le laboratoire AMPERE a réalisé des diodes PIN en SiC de calibre 4,8kV. La caractérisation statique et en commutation de ces diodes permet de connaître leurs performances et extraire les paramètres technologiques utilisés dans leur modèle : WB, ND, τ et A.
La caractérisation électrique utilise des circuits de commutation adaptés aux performances exceptionnelles des diodes SiC (haute tension, rapide). Le dimensionnement et la modélisation des circuits, ainsi que l’extraction des paramètres sont développés dans la thèse.
La validation des paramètres est effectuée dans un circuit original, un circuit de commutation résistive, spécialement développé pour ce type de diodes. Les mesures et les simulations sont suffisamment proches pour valider la procédure de caractérisation et le modèle de la diode. Avec l’obtention du modèle de la diode SiC, il devient possible de simuler son fonctionnement dans un convertisseur.