Actuellement 14 sujets de doctorat.
A/ Proposition de thèse de doctorat avec financement par Contrat Doctoral d’Etablissement
A-2024-01 Etude des propriétés magnétiques d’alliages magnétiques doux en conditions extrêmes sous excitation 2D
Domaine : Génie électrique
Établissement : Université Claude Bernard Lyon 1
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Contact à Ampère : Fabien SIXDENIER
A-2024-02 Modélisation numérique des systèmes d’isolation gaz-solide dans les postes électriques sous enveloppe métallique HVDC
Domaine : Génie électrique
Établissement : Ecole Centrale de Lyon
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Contacts à Ampère : Ayyoub ZOUAGHI et
Arnaud BREARD
A-2024-03 Caractérisations physiques avancées de composant de puissance WBG et UWBG
Domaine : Génie électrique
Établissement : INSA Lyon
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Contact à Ampère : Camille SONNEVILLE
A-2024-05 Analyse et synthèse de Détecteurs d’Anomalies sous contrainte de temps-Critique
Domaine : Automatique et Traitement du Signal
Établissement : Ecole Centrale de Lyon, France
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Contacts : Gérard Scorletti Anton Korniienko Arthur Perodou
A-2024-06 Vers l’analyse et la synthèse efficaces des Systèmes Hétérogènes Interconnectés :
application à l’estimation de signaux
Domaine : Automatique et Traitement du Signal
Établissement : Ecole Centrale de Lyon, France
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Contacts : Gérard Scorletti Anton Korniienko Arthur Perodou
B/ Proposition de thèse de doctorat avec financement européen
B-2023-02 Snubber intégré dans le boitier du transistor de puissance
Domaine : Génie électrique
Établissement : 25% INSA Lyon – Ecully, France, 75% site CEA LETI
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Contact à Ampère : Bruno ALLARD
C/ Proposition de thèse de doctorat avec financement industriel (CIFRE ou autres)
C-2023-04 Radiation reliability of diamond semiconductor devices for automotive,
nuclear, and space environments
Domaine : Micro-électronique
Partenaire : ST Microlectronics
Établissement : INSA Lyon
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Contact: Victor Malherbe
C-2023-05 Radiation reliability of gallium nitride (GaN) semiconductor devices for automotive, nuclear, and space environments
Domaine : Micro-électronique
Partenaire : ST Microlectronics
Établissement : INSA Lyon
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Contact: Victor Malherbe
C-2024-01 Diagnostic et pronostic de l’état de santé d’une batterie lithium-ion par réflectométrie
Domaine : Génie électrique
Établissement : CEA Saclay, Ile de France
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Contact à Ampère : Pascal VENET
D/ Proposition de thèse de doctorat avec financement par l’ANR, le plan France 2030, ...
D-2024-01 Étude de la soutenabilité forte d’une chaîne hydrogène
Domaine : Domaine système de stockage de l’énergie / electronique de puissance
Établissement : Université Lyon 1
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Contact à Ampère : Hugo HELBLING
D-2024-02 Modélisation environnemental des composants d’un micro-réseau associant énergies renouvelables, systèmes de stockage et électromobilité dans le but de réaliser le dimensionnement et la gestion de l’énergie.
Environmental modelling of the components of a microgrid combining renewable energies, storage systems and electromobility, with the aim of sizing and managing the energy.
Domaine : Domaine système de stockage de l’énergie / electronique de puissance
Établissement : Laboratoire Ampère à Villeurbanne (69100) et Laboratoire LICIT-ECO7 situé à Bron (69500)
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Contact à Ampère : Hugo HELBLING
D-2024-03 Dimensionnement et gestion de l’énergie dans un micro-réseau associant énergies renouvelables, systèmes de stockage et électromobilité avec prise en compte des impacts environnementaux.
Energy sizing and management in a microgrid combining renewable energies, storage systems and electromobility, taking into account environmental impacts.
Domaine : Domaine système de stockage de l’énergie / electronique de puissance
Établissement : Université Lyon 1
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Contact à Ampère : Hugo HELBLING
D-2023-07 Avalanche behaviour of multichip
power SiC MOSFET modules
Domaine : Électronique de puissance
Partenaires : Projet IRT Saint-Exupéry
Établissement : INSA Lyon
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Contact à Ampère : Hervé MOREL
D-2023-08 Structural and traps defect on new and aging GaN power devices
Domaine : Électronique de puissance
Établissement : INSA Lyon
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Contact à Ampère : Camille SONNEVILLE
D-2023-09 Electrical Stress (Surge Current and Switching) to age GaN power devices
Domaine : Électronique de puissance
Établissement : INSA Lyon
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Contact à Ampère : Pierre BROSSELARD